Número de Producto del Fabricante:
TSM210N06CZ C0G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM210N06CZ C0G-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 210A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12894250
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ENVIAR
TSM210N06CZ C0G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
210A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7900 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TSM210N06CZ C0G-DG
TSM210N06CZC0G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFP220N06T3
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
20
NÚMERO DE PIEZA
IXFP220N06T3-DG
PRECIO UNITARIO
3.54
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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